以氮化镓和碳化硅作为当下极具后劲的第三代半导体材料，其代表着功率半导体技巧的前沿发展地点，在电源领域展现出弘大的上风与价值。与传统硅器件比拟，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体功率器件具备更高的后果、更强的耐高温性、以及更小的尺寸，或者权臣进步电源系统的能效，鼓吹Ai数据中心、通讯基站、新能源汽车等高能耗产业向低碳环保地点进化。
而在宇宙功率半导体产业加快向第三代半导体材料移动的态势中，无时常刻演出一场技巧与本钱的双重争夺战。近期，业界动作频频，从到技巧蹂躏到新品发布，第三代半导体行业赛说念呈现出前所未有的活跃态势。为助力诸君读者一又友了解最近第三代半导体行业新决策、新动向，充电头网整理了近期行业内推出的新品决策，下文小编将为您详备先容。
下文品牌排序不分先后，按品牌英文首字母执法陈设。
AOS万国AOS推出6.6kW OBC Demo系统AOS万国推出6.6kW OBC DEMO，该演示demo在AC-DC侧使用AOM040V75X2Q和AOK060V75X2Q，在DC-DC侧使用AOM040V75X3Q。
张开剩余93%该演示demo输入电压范围广，为85-265V，50/60Hz（AC/DC），同期还能顺应320-450V，50/60Hz（DC/AC）的输入条目，输出电压也具备宽范围，为250V-450V（AC/DC），在特定情况下，还能输出220V，50Hz（DC/AC）。在功率方面，当Vac≥220V时，可达到6.6kW（AC/DC风景），Vac=90V时，功率为2kW（AC/DC风景），在DC/AC风景下，最大功率为3.3kW。自后果闪现十分出色，峰值后果高达96%，PFCPWM频率为65kHz，CLLC PWM频率为200kHz。这款家具还具备诸多特色，比如宽输入电压范围85-265VAC，50/60Hz，宽输出电压范围250-450VDC，最高后果可达96.5%，最大功率输出狂放分歧为6.6kW（AC/DC风景）和3.3kW（DC/AC风景），况且领有输入过流、过压、欠压保护，输出过流、过压、欠压保护等多种保护功能，还配备多种故障LED涌现，可通过开关目田切换AC/DC或DC/AC风景。
EPC宜普EPC宜普推出专为PD快充诓骗的氮化镓180W demo决策宜普公司推出基于EPC91109评估板，其配备了一个紧凑高效的双同样步降压转机器。该转机器输入电压范围为20–36V，输出电压可选12V、16V或20V。它使用了四颗EPC2057（50V额定电压的eGaNFET）和LTC7890模拟双相降压限定器。评估板或者建树成单输出的双相交错转机器，或者双输出的降压转机器。
看成为单输出的双相交错转机器时，其不错从36V电源向12V负载输出最高14.3A电流，相等于180W输入功率，合乎USB-PD 3.1方法在36V母线下允许的最大功率。功率级面积（包含电感器）为24mm×24mm，最大元件高度为3mm，无需散热器或风冷。
该决策接管尺寸仅为6.95mm×6.60mm、高度3mm的袖珍电感专为功率高达180W的PD3.1诓骗场景联想，适用于空间受限且对功率有极少需求的PD适配器、笔电适配器等场景诓骗。
EPC宜普推出头向96-150V系统的氮化镓三相逆变器决策评估板宜普最新推出的基于EPC2304氮化镓场效应管的高性能三相无刷直流逆变器参考联想EPC9196，其专为 96-150V电板系统打造，可提供25A有用值的捏续输出电流，适用于AGV转向系统、机器东说念主关键以及紧凑型自动驾驶车辆等场景。
在中枢参数层面，其输入电压范围30-170V，输出电流25 ARMS（35A 峰值），PWM 频率最高可达150kHz，dv/dt小于10V/ns，且集成电流、电压、温度及时监测传感功能。散热方面，在无散热器当然对流条目下可输出 8.5ARMS，加装散热器后输出电流可达 13 + ARMS，即使在瞬态爆发 25ARMS 时也能保捏安全温升。
作为首款针对96-150V、25ARMS条目优化的demo，EPC9196填补了市面深广参考联想在中压中流诓骗区间的空缺，得志高功率密度电机限定系统联想需求。系统集成40针接口，适配ST、TI、Microchip及Renesa电机限定板，信号经3.3V缩放直连ADC 输入，过流保护撑捏硬件 / 软件双重限定。此外，EPC9196随家具附赠配套完整设立府上包，含旨趣图、物料清单、PCB 布局图、仿真模子等，助力工程师快速上手进行联想。
Innoscience英诺赛科英诺赛科推出4kW双向PFC决策英诺赛科近期推出4kW双向PFC决策，该决策接管AC-DC图腾柱拓扑，内置4颗ISG6121TD氮化镓器件。
该demo其峰值后果闪现优异，在用于整流时，在230V输入电压条目下，峰值后果可达99.03%；在用于逆变时，230V输出电压条目下，峰值后果为98.95%。开关频率为65kHz PFC。其PCBA尺寸为176×100×57mm，功率密度高达65.6W/inch³。此外，接管了InnoGaN技巧，使用了4颗ISG6121TD芯片，可见该demo决策具备高效、紧凑与行业前瞻性与转变性。
英诺赛科1.2 kW 高功率密度四相交错降压电源决策英诺赛科面向 AI 算力基建的最新1.2 kW四相交错降压参考联想，针对行业对高密度化、智能化与低碳化的中枢需求而生。该决策在典型 48 V 输入、12 V/100 A 输出条目下，凭借氮化镓器件的小体积、高频高效脾气，将功率密度与系统后果推向极限，达成了峰值 98.1%（600 W）及满载 97.5%（1200 W）的优胜闪现。相较于传统硅基不休决策，举座损耗贬低逾 30%，器件热门温度在无风现象下低于硅决策 15 ℃ 以上，有用进步了散热性能与系统可靠性，同期为数据中心 PUE 降本增效提供了坚实保险。
该参考联想接管英诺赛科自研的INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC与双面散热的100 V增强型 GaNFET INN100EA035A，通过四相交错 Buck 拓扑达成遵守传输的平滑切换与均流分摊。INS2002FQ 集成自举与 BST 钳位电路，撑捏寂然高下拉驱动与三态 PWM 输入，可机动调治死区时候并达成低蔓延高驱登程手；INN100EA035A 则凭借超低导通电阻与高饱和磁通密度的双面散热结构，配合铂科新材料高频磁材，有用缩减电感与滤波电容体积 50%以上，使整机功率部分仅占 PCB 面积 48 × 12 mm，为新能源、通讯及数据中心等多领域提供了高效、紧凑、可推广的48 V降压决策。
英诺赛科发布无散热器联想300W GaN 电机驱动评估板近期，英诺赛科推出的INNEMD310V3A1评估板，其接管 INN700TK350B，可在台架测试中松懈评估高达300W负载的组件。
该评估板内置700V INN700TK350B GaN，具备低损耗、高转速、简化测试经由、优化布局四大上风。收获于氮化镓莫得反向还原的优异脾气，加上超低的通畅和关断损耗，对比同规格MOS/IGBT器件，高压氮化镓的损耗减少50%以上，可达成高性能、无散热器联想，从简BOM以及散热器安装工序成本；接管氮化镓的电机驱动器，由于饱胀快的开关速率，PWM频率不错进步到100KHz，不错撑捏电机开动在更高的转速，况且得到更好的限定性能；简化测试经由，配套无感FOC限定算法；优化布局，达成最好性能。
Navitas纳微纳微12kW超大边界AI数据中心电源参考联想纳微推出了专为超大边界AI数据中心联想的最新12kW量产电源参考联想，基于第三代快速碳化硅 MOSFET 与高功率GaNSafe氮化镓功率芯片的深度协同打造，竣工契合洞开联想技俩（OCP）ORv3 方法及高功率劳动器机架需求。
该决策在三相交错 TP‑PFC 与 FB‑LLC 拓扑中引入纳微独家 IntelliWeave 数字限定技巧，搀杂接管临界导通风景与联结导通风景，确保轻载至满载工况下元件最简与后果最大化，相较传统 CCM 决策功耗贬低约30%。其中，TP‑PFC 由“沟槽扶助平面栅”碳化硅 MOSFET 驱动，兼具全温域高性能、低温升与超卓鲁棒性；FB‑LLC 则由集成驱动、感测与多项保护功能的第四代 GaNSafe 氮化镓功率芯片担当，短路保护反馈最快 350 ns，整个引脚提供 2 kV HBM ESD 珍惜，且无需特殊 VCC 引脚即可达成可编程斜率限定，有用进步高功率诓骗的可靠性与安全性。
该参考联想尺寸仅为790 × 73.5 × 40 mm，输入电压笼罩 180–305 VAC 区间，在高于 207 VAC 条目下可褂讪输出 12 kW、低于阈值时保证 10 kW 输出，输出电压最高可达 50 VDC。整机配备主动均流及完善的过流、过压、欠压与过热保护机制，并撑捏 3 倍稳态电流的浪涌输出（< 20 ms），可在 –5–45 °C 环境中联结开动 20 ms 负载而保捏褂讪。此款参考联想可助力超大边界 AI 数据中心飞速部署高功率、高密度且极具成本效益的电源基础体式。
ON安森好意思安森好意思推出SiC Combo JFET评估板安森好意思半导体的SiC Combo JFET家具，领有极低的导通阻抗以及可精确调控的开关速率，这使其在断路器以及大功率且低开关速率要求的诓骗场景中，或者达成极为出色的后果闪现与功率密度进步。与此同期，该器件的功率轮回性能与传统硅器件比拟绝不失色，且相较于SiC MOSFET，其功率轮回性能更是跨越2倍过剩。
为了助力客户更好地对Combo JFET器件进行评估，安森好意思半导体用心推出了两款评估板。其中一款专为断路器诓骗而联想，接管共源极建树；另一款则针对大功率开关风景诓骗，接管半桥建树。这两类评估板均可通过安森好意思的官方销售渠说念获取。
Si-Power硅能源硅能源65W slim超薄氮化镓快充决策近期Si-power硅能源基于旗下SP9800+SP6520H高频QR电源决策，联想了一款65W slim超薄氮化镓快充DEMO，整机三围实测仅67.43*40.04*10.77mm，功率密度高达2.24W/cm³，另外分量也仅有37g，工整简陋，松懈得志客户关于“饼干”充电器的联想要求。
DEMO接管了硅能源SP9800+SP6520H高频QR电源决策，以及SP240N70TT1氮化镓开关管、SP05N10SRL同步整流管全套器件。SP9800数模搀杂信号反激限定芯片集成Cap-Less自顺应CCM技巧与自顺应谷底锁定战略，可在大幅减轻输入母线电容体积的同期保捏高后果开动；SP6520H不错动态追踪输出电流波形，贬低次级整流管导通损耗，进一步进步转机后果。
SP240N70TT1氮化镓开关管助力家具高频高效以及达成袖珍化。这套决策不仅荒谬适当超薄型充电器诓骗，而且一齐来自硅能源，一致性也会更好，调换成本更低，关于协助客户设立新品，缩小研发周期达成快速量产上市更有上风。
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1、功率密度达2.24W/cm³，硅能源65W slim超薄氮化镓快充决策知道
WolfspeedWolfspeed推出25kW双向T-型逆变器Wolfspeed推出25千瓦双向T型逆变器demo，接管Wolfspeed 650V和1200V SiC MOSFET，适用于光伏逆变器、UPS、电动汽车快充桩、高压直流输电、东说念主工智能/数据中心大功率PSU及储能系统等高功率场景，且具备逆变器风景和功率因数调动风景。该demo还配备一套完整评估用具，能助力新式碳化硅联想设立。
该demo联想在逆变器风景与PFC风景下均能达成峰值后果大于99%，且功率密度大于6kW/L。在逆变风景中，直流输入电压为800V DC，最大电流为36A，交流输出电压范围是380-480 Vline-line，频率为50/60Hz，最大功率可达25kW，其开关频率为60kHz。而PFC风景下，三相输入电压为380-480Vline - line，频率50/60Hz，最大电流同样为36A，直流输出电压在650V-900V之间，最大功率亦然25kW，开关频率为60kHz。此联想可庸碌诓骗于光伏逆变器、不远离电源（UPS）、储能系统、电动汽车快速充电以及工业电源等领域。
X-IPM芯主线芯主线推出12V 8.33A 100W demo决策芯主线最近带来12V 8.33A 100W demo，该决策内置芯主线X3G6516B5氮化镓开关管以及XD065A0065碳化硅二极管，分歧用于PFC MOS、LLC MOS和PFC二极管。
据官方形貌，该demo决策在110V电压输入，20%负载至满载（对应负载为20%、40%、60%、80%、100%）的情况下，通过联想得出其转机功率为92.0%、93.3%、93.6%、93.8%、93.9%。在220v电压输入，20%负载至满载（对应负载为20%、40%、60%、80%、100%）情况下，通过联想得出其转机后果为93.0%、95.0%、95.7%、95.8%、96.0%。举座转机后果在90%以上。
充电头网回顾关于功率器件企业而言，连续推出demo决策或者为行业提供完整诓骗示例，以全面评估器件性能，谐和企业或工程师或者考据家具脾气，提前发现硬件残障，贬低试错成本；同期推出demo还不错针对特定诓骗提前联想优化，贬低联想难度，加快家具设立程度，是进步家具竞争力的蹙迫前置决策。
以上就是本轮番三代半导体行业demo新决策的一齐践诺，如您需要捏续了解第三代半导体行业风向，您不错温雅充电头网，咱们将会捏续为您整理业界最新动向。
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